【日本人】スーパージャンクション型デバイス設計専門家

1.先進的なスーパージャンクション型 SiC MOSFET のデバイス構造設計、シミュレーション最適化、特性評価を担当し、デバイスの主要寸法およびプロセス仕様を定義する。 2.プロセスインテグレーションチームと密接に連携し、デバイス設計を量産可能なプロセスフローへと落とし込み、プロセス開発を指導する。 3.デバイス試験計画の策定をリードし、試験データを解析して設計コンセプトを検証し、継続的に設計を改善する。 4.世界の SiCスーパージャンクションデバイス技術動向を追跡し、競合分析を行い、会社の技術ロードマップ策定に重要なインプットを提供する。

1.20年以上のパワー半導体デバイス設計経験を有し、SiCスーパージャンクションMOSFET の設計およびテープアウトの成功経験を持つ方は優先的に考慮。 2.5年以上の車載向けパワーデバイス開発経験を有し、特性評価・信頼性試験・故障解析・アプリケーション評価を含め、車載規格要求を満たす開発ができる方。 3.デバイス構造／パラメータ設計、シミュレーション、DOE、プロセス開発・最適化、良率改善から量産立ち上げまで、製品開発の全プロセスに関する経験を有すること。 4.修士または博士号を有し、特にワイドバンドギャップ半導体（SiC/GaN）分野における深い研究経験またはプロジェクト経験を持つ方を優遇。

【日本人】スーパージャンクション型デバイス設計専門家

职位描述

职位要求